Transphorm推出SuperGaN FET 的低成本驱动器解决方案

2023-06-16 10:13:57 来源 : 维科网

Transphorm FET 使用简单的半桥栅极驱动器实现了高达 99％的效率，

验证了在超过 1 kW 的宽功率范围内具有成本效益的设计方案

加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 年 6 月 15 日 –新世代电力系统的未来，氮化镓（GaN）功率转换产品的全球领先供应商Transphorm， Inc．（Nasdaq： TGAN）发布了一款高性能、低成本的驱动器解决方案。这款设计方案面向中低功率的应用，适用于LED照明、充电、微型逆变器、UPS和电竟电脑，加强了公司在这个30亿美元电力市场客户的价值主张。

(相关资料图)

不同于同类竞争的 e－mode GaN 解决方案需要采用定制驱动器或栅极保护器件的电平移位电路，Transphorm 的 SuperGaN® FET由于可以与市售的驱动器搭配使用，更易于驱动，因此可提升客户使用Transphorm器件的成本优势。本次发布的新款解决方案采用高速、非隔离式、高电压半桥栅极驱动器，在不影响 GaN FET 或系统性能的情况下，进一步降低了系统总成本。

Transphorm业务发展和市场营销高级副总裁Philip Zuk表示：“我们的常关型氮化镓平台能够与业界熟知的市售驱动器配合使用，更适合市场应用，也更受市场欢迎。能够根据需要来选定驱动器，对客户来说是一个非常重要的优势。客户可以为不同性能优势权重的设计挑选相应的驱动，从而更好地控制电力系统的成本。这对价格敏感的终端市场尤为重要。Transphorm 的GaN能够提供更高性能，采用我们的氮化镓器件，客户可以根据最终结果来挑选BOM，从而以极佳的成本效益实现所需的性能。”

Transphorm还推荐各种其它驱动器，这些驱动具有高额定隔离电压（控制至输出的驱动信号）、短延迟、快速开启／关断、以及可编程死区时间等等优点，非常适合较高功率的应用。

电源适配器、电竟笔记本电脑充电器、LED照明、以及两轮车和三轮车充电等中低功率应用对价格非常敏感，这些产品中的电源系统通常不需要类似安全隔离这样的先进功能，使用高阶的驱动器可能导致BOM成本不必要升高。

性能分析

该半桥栅极驱动器采用了 Transphorm 的 650 V、72 mΩ PQFN88 封装器件 TP65H070LSG 进行测试。可用于桥式拓扑结构，如谐振半桥、图腾柱 PFC、正弦波逆变器或有源箝位反激式电路。

测试结果表明，无论是否使用散热器或强制空气进行冷却，该低成本的驱动解决方案在低于／等于150kHz 的开关频率下均运行良好。此解决方案最终在选定的配置中实现了接近 99％的效率。

获取应用指南

如需了解有关上述解决方案的更多详情，请下载Transphorm应用指南AN0014 ：『面向中低功率 GaN FET 应用的低成本、高密度、高电压硅驱动器（Low Cost， High Density， High Voltage Silicon Driver for Low－ to Mid－Power GaN FET Applications）。

关于Transphorm

Transphorm， Inc．是氮化镓革命的全球领导者，致力于设计、制造和销售用于高压电源转换应用的高性能、高可靠性的氮化镓半导体功率器件。Transphorm拥有最庞大的功率氮化镓知识产权组合之一，持有或取得授权的专利超过1，000多项，在业界率先生产经JEDEC和AEC－Q101认证的高压氮化镓半导体器件。得益于垂直整合的业务模式，公司能够在产品和技术开发的每一个阶段进行创新：设计、制造、器件和应用支持。Transphorm的创新使电力电子设备突破硅的局限性，以使效率超过99％、将功率密度提高50％以及将系统成本降低20％。Transphorm的总部位于加州戈利塔，并在戈利塔和日本会津设有制造工厂。

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